| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底上的沟道区，所述沟道区包括量子阱结构；位于沟道区两侧的源极区和漏极区；沟道区上的栅极结构；其中，所述沟道区、源极区和漏极区的材料的能带互不相同；在源极区与沟道区之间存在隧穿势垒结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103094338B | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201110339415.8 | 申请日期 | 2011.11.01 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;罗军;赵超;刘洪刚;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/267(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;蒋骏 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底上的沟道区，所述沟道区包括量子阱结构；位于沟道区两侧的源极区和漏极区；沟道区上的栅极结构；其中，所述沟道区、源极区和漏极区的材料的能带互不相同；其中在源极区与沟道区之间存在隧穿势垒结构，其中源极区的材料带隙宽度小于沟道区的材料带隙宽度，沟道区的材料带隙宽度小于漏极区的材料带隙宽度。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||