MOSFET制造方法及MOSFET

摘要

本发明实施例公开了一种MOSFET制造方法及一种MOSFET，该方法包括：在外延层表面上形成栅氧化层和多晶硅栅；在外延层表面内形成源区；进行源区氧化，在源区表面上多晶硅栅和源区之间的空隙中，形成氧化物。本发明实施例还提供了一种MOSFET，包括外延层、形成于外延层表面内的源区、形成于外延层表面上的栅氧化层和多晶硅栅，在所述MOSFET的源区表面上，多晶硅栅和源区之间的空隙中，设置有采用热氧化生长工艺形成的氧化层。本发明实施例中，源区表面形成的氧化物填充了多晶硅栅边缘和源区之间的间隙，同时增加了栅区边缘的栅氧化层的厚度，因此，能够减小栅区边缘的栅氧化层被击穿的可能性。

主权项

一种MOSFET制造方法，其特征在于：在外延层表面上形成栅氧化层和多晶硅栅；在外延层表面内形成源区；采用热氧化生长工艺进行源区氧化，持续时间为14～16分钟，在源区表面上多晶硅栅和源区之间的空隙中，形成氧化物，所述氧化物厚度为栅氧化层厚度的1至3倍，所述栅氧化层的厚度通过控制源区的杂质掺杂浓度来控制；其中，在形成栅氧化层和多晶硅层之前，还包括：在半导体晶片的外延层表面上形成氧化物保护层；通过光刻工艺在氧化物保护层形成导电保护区域图形；在导电保护区域离子注入、杂质推阱，形成阱区；去除氧化物保护层。