半导体器件

摘要

本发提供一种半导体器件，即一种改善性能的半导体器件。半导体衬底的表面层部分中具有彼此分离的用于源极的n⁺型半导体区以及用于漏极的n⁺型半导体区。半导体衬底的在用于源极的n⁺型半导体区以及用于漏极的n⁺型半导体区之间的主表面上具有经由作为栅绝缘膜的栅电极。半导体衬底的栅电极下方的沟道形成区以及用于漏极的n⁺型半导体区之间的主表面中具有LOCOS氧化膜以及STI绝缘膜。在LOCOS氧化膜和STI绝缘膜中，LOCOS氧化膜位于沟道形成区侧且STI绝缘膜位于用于漏极的n⁺型半导体区侧。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底的表面层部分中同时彼此分离的具有第一导电类型的用于源极的第一半导体区以及具有所述第一导电类型的用于漏极的第二半导体区；经由栅绝缘膜形成在所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的所述半导体衬底的主表面上方的栅电极；以及在所述栅电极下方的沟道形成区和所述第二半导体区之间的所述半导体衬底的主表面中形成的LOCOS氧化膜以及STI绝缘膜，其中，在所述LOCOS氧化膜和所述STI绝缘膜中，所述LOCOS氧化膜位于所述沟道形成区侧并且所述STI绝缘膜位于所述第二半导体区侧。