发明名称 |
半导体器件及其操作方法 |
摘要 |
一种半导体器件包括:多个存储块,所述多个存储块中的每个包括多个存储器单元;电路组,对所述多个存储块之中的选中的存储块执行编程操作、读取操作和擦除操作;以及控制电路,在对所述选中的存储块执行所述编程操作之前,控制所述电路组来将所述选中的存储块编程在修复模式下,其中,具有修复模式的所述存储器单元包括交替布置的擦除的存储器单元和编程的存储器单元。 |
申请公布号 |
CN104900270A |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201410364139.4 |
申请日期 |
2014.07.28 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
郑然周;朴石光;徐顺玉 |
分类号 |
G11C29/42(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/42(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
俞波;毋二省 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:多个存储块,所述多个存储块中的每个包括多个存储器单元;电路组,适于对所述多个存储块之中的选中的存储块执行编程操作、读取操作和擦除操作;以及控制电路,适于:在对所述选中的存储块执行所述编程操作之前,控制所述电路组来将所述选中的存储块的存储器单元编程在修复模式下,其中,具有所述修复模式的所述存储器单元包括交替布置的擦除的存储器单元和编程的存储器单元。 |
地址 |
韩国京畿道 |