| 发明名称 | 发光二极管P型掺杂层生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管P型掺杂层生长方法。该方法包括：在衬底上生长核层，在核层上生长非掺杂结构层，在非掺杂结构层上生长N型掺杂层，在N型掺杂层上生长量子阱发光层，在量子阱发光层上生长P型掺杂层，其中，P型掺杂层中包括铝氮化镓ALGaN和氮化铝ALN的超晶格结构。由于P型掺杂层中包括ALGaN和ALN的超晶格结构，可以有效地避免电流直接进入外延量子阱层，有效提高了LED的光电性能。进一步的，还可以有效降低制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104900767A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510161411.3 | 申请日期 | 2015.04.07 |
| 申请人 | 圆融光电科技股份有限公司 | 发明人 | 焦建军;黄小辉;周德保;康建;梁旭东 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 陶敏;黄健 |
| 主权项 | 一种发光二极管P型掺杂层生长方法，其特征在于，包括：在衬底上生长核层；在所述核层上生长非掺杂结构层；在所述非掺杂结构层上生长N型掺杂层；在所述N型掺杂层上生长量子阱发光层；在所述量子阱发光层上生长P型掺杂层；其中，所述P型掺杂层中包括铝氮化镓ALGaN和氮化铝ALN的超晶格结构。 | ||
| 地址 | 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋 | ||