| 发明名称 | 降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法，其中降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构，其包括：一衬底；一n型集电区，其制作在衬底上；一p型组分渐变基区，其制作在n型集电区上；一n型发射区，其制作在p型基区上。本发明通过特殊的结构设计，使基区电阻率大大降低，从而提高器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104900689A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510309494.6 | 申请日期 | 2015.06.08 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张连;张韵;王军喜;李晋闽 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/737(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构，其包括：一衬底；一n型集电区，其制作在衬底上；一p型组分渐变基区，其制作在n型集电区上；一n型发射区，其制作在p型基区上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||