一种半导体引线框架的表面处理方法

摘要

本发明公开了一种半导体引线框架的表面处理方法，依次包括超声波除油、电解除油、水洗、硫酸中和活化、水洗、电镀铜、水洗、酸中和、水洗、铜保护、水洗、热水洗和烘干，所述铜保护的具体工艺要求为：将半导体引线框架导入保护液中浸泡已达到附上铜保护膜的目的，所述保护液的pH为5～7，温度为20～40℃，浸泡时间为10～20S，所述保护液包括如下成分：烷基苯并咪唑：9～15g/L；醋酸1～3g/L。本发明在铜表面层设置有一层有机保护层来代替隔膜层，并且在沾锡和焊铝线时，本保护层自然消除，达到保护又不影响焊接效果的作用。

主权项

一种半导体引线框架的表面处理方法，其特征在于：依次包括超声波除油、电解除油、水洗、硫酸中和活化、水洗、电镀铜、水洗、酸中和、水洗、铜保护、水洗、热水洗和烘干，所述铜保护的具体工艺要求为：将半导体引线框架导入保护液中浸泡已达到附上铜保护膜的目的，所述保护液的pH为5～7，温度为20～40℃，浸泡时间为10～20S，所述保护液包括如下成分：烷基苯并咪唑：9～15g/L；醋酸：1～3g/L。