发明名称 |
制造MEMS器件的方法以及MEMS器件 |
摘要 |
本发明涉及制造MEMS器件的方法以及MEMS器件,并提供了制造优选地用于微机电系统的器件的制造方法。该方法包括以下步骤:在衬底上形成第一电极,其中第一电极至少在其一端处具有第一倾斜端部;在第一电极上形成牺牲层,其中牺牲层具有第一倾斜边缘,该第一倾斜边缘和第一倾斜端部彼此叠置,使得第一倾斜边缘的厚度随着第一倾斜端部的厚度增加而减小;在第一电极上形成第一隔离体,其中第一隔离体与第一倾斜边缘接触;在牺牲层和第一隔离体上形成梁电极;以及在形成梁电极以后去除牺牲层。 |
申请公布号 |
CN102190286B |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201110057805.6 |
申请日期 |
2011.03.04 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
胜木隆史;岛内岳明;今井雅彦;丰田治;上田知史 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
柳春雷 |
主权项 |
一种制造器件的方法,包括以下步骤:在衬底上形成第一电极,所述第一电极至少在其一端处具有第一倾斜端部,所述第一倾斜端部形成在所述衬底上,所述第一倾斜端部的厚度小于另一端;在所述第一电极上形成牺牲层,所述牺牲层具有第一倾斜边缘,所述第一倾斜边缘和所述第一倾斜端部彼此叠置,使得所述第一倾斜边缘的厚度随着所述第一倾斜端部的厚度增加而减小;在所述第一电极上形成第一隔离体,所述第一隔离体与所述第一倾斜边缘接触;在所述牺牲层和所述第一隔离体上形成梁电极;以及在形成所述梁电极以后去除所述牺牲层。 |
地址 |
日本神奈川县 |