发明名称 处理基板的技术
摘要 本发明揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中,所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括:一或多个第一孔,其安置于第一列中;以及一或多个第二孔,其安置于第二列中,每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸,其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔为非一致的。
申请公布号 CN102428542B 申请公布日期 2015.09.09
申请号 CN201080021679.2 申请日期 2010.04.08
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 凯文·M·丹尼尔斯;罗素·J·洛;班杰明·B·里欧登;尼可拉斯·P·T·贝特曼
分类号 H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01L21/265(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 一种用于处理基板的装置,所述装置包括:离子源,其用于产生包括所需物种的多个离子的离子束,所述离子束被引导朝向基板;遮罩,其安置于所述离子源与所述基板之间,所述遮罩包括:一或多个第一孔,其安置于第一列中;一或多个第二孔,其安置于第二列中;以及一或多个第三孔,其安置于第三列中,每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸,所述第二列与所述第一列及所述第三列邻近且所述第二列位于所述第一列及所述第三列之间,其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔沿所述遮罩的高度方向成未对准的关系,所述一或多个第一孔及所述一或多个第三孔沿所述遮罩的所述高度方向对准,以及其中所述离子束被引导至所述遮罩的上部部分,使得所述离子束的第一部分与所述一或多个第一孔的至少一部分重叠,所述离子束的第二部分与所述一或多个第二孔的至少一部分重叠,同时所述基板与所述遮罩相对于彼此移动。
地址 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号