发明名称 发光元件、光源装置和投影显示装置
摘要 装有光源层(4)和光从光源层(4)所入射到的方向控制层(5)。光源层(4)具有布置在衬底(10)上的一对空穴传输层(11)和电子传输层(13)。方向控制层(5)包括:等离子体激发层(15),堆叠到光源层(4)的非衬底(10)侧并具有比从光源层(4)发射的光的频率更高的等离子体频率;波数矢量转换层(17),把由等离子体激发层(15)产生的表面等离子体转换到预定出射角并发射。等离子体激发层(15)被夹在具有介电特性的两个层之间。入射侧部分的有效介电常数大于出射侧部分的有效介电常数,入射侧部分包括堆叠在等离子体激发层(15)的光源层(4)侧的整个结构,出射侧部分包括堆叠在等离子体激发层(15)的波数矢量转换层(17)上的整个结构及与波数矢量转换层(17)接触的介质。
申请公布号 CN102792772B 申请公布日期 2015.09.09
申请号 CN201080065318.8 申请日期 2010.10.14
申请人 日本电气株式会社 发明人 枣田昌尚;今井雅雄;铃木尚文;富永慎
分类号 H05B33/02(2006.01)I;H01L33/36(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I 主分类号 H05B33/02(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 柳春雷
主权项 一种发光元件,包括:光源层;以及光学元件层,其被堆叠在所述光源层上方,来自所述光源层的光进入所述光学元件层;其中,所述光源层具有衬底,以及形成在所述衬底上的一对空穴传输层和电子传输层,其中,所述光学元件层具有:等离子体激发层,其被堆叠到所述光源层的非衬底侧上方,并具有比从所述光源层发射的光的频率更高的等离子体频率;以及出射层,其被堆叠到所述等离子体激发层上方,把在所述等离子体激发层中产生的表面等离子体转换为具有预定出射角的光,并发射具有所述预定出射角的光,其中,所述等离子体激发层被夹置在具有介电特性的两个层之间;并且其中,入射侧部分的有效介电常数大于出射侧部分的有效介电常数,所述入射侧部分包括堆叠在所述等离子体激发层的所述光源层侧上方的整个结构,所述出射侧部分包括堆叠在所述等离子体激发层的所述出射层侧上方的整个结构以及与所述出射层接触的介质。
地址 日本东京都