| 发明名称 | GaN基LED外延结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、高温N型GaN层、低温N型GaN层、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层。采用所述低温N型GaN层取代传统LED外延结构中的超晶格结构，由于所述低温N型GaN层的生长温度较低，会使得所述低温N型GaN层内的C元素的含量较高，又所述低温N型GaN层不含In元素，这不仅可以有效地降低外延电压，还可以有效地改善LED器件的漏电和反向电压，进而提高LED芯片的品质。 | ||
| 申请公布号 | CN104900769A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510166452.1 | 申请日期 | 2015.04.09 |
| 申请人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 | 发明人 | 马后永;琚晶;李起鸣;张宇;徐慧文 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、高温N型GaN层、低温N型GaN层、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层。 | ||
| 地址 | 201306 上海市浦东新区临港产业区新元南路555号金融中心211室 | ||