| 发明名称 | 薄膜晶体管、阵列基板、制备方法、显示面板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板、制备方法、显示面板和显示装置，该薄膜晶体管的制备方法包括：形成氧化物有源层；形成刻蚀阻挡层和源漏电极，所述刻蚀阻挡层采用能够吸附氢原子的导电材料形成。本发明中，采用能够吸附氢原子的导电材料形成刻蚀阻挡层，即使使用化学沉积方法沉积刻蚀阻挡层，沉积过程中引入的氢原子也会被刻蚀阻挡层吸附，避免引入的氢原子与氧化物半导体中的氧原子结合，从而提高氧化物薄膜晶体管的稳定性和信赖性。 | ||
| 申请公布号 | CN104900533A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510171034.1 | 申请日期 | 2015.04.13 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王珂;王久石;吕志军 |
| 分类号 | H01L21/34(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;黄灿 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：形成氧化物有源层；形成刻蚀阻挡层和源漏电极，所述刻蚀阻挡层采用能够吸附氢原子的导电材料形成。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||