| 发明名称 | 一种VDMOS的制造方法和VDMOS | ||
| 摘要 | 本发明提供一种VDMOS的制造方法和VDMOS，该方法包括：在N型外延层上形成栅氧化层；在栅氧化层上形成多晶硅层，该多晶硅层的中间固定区域为绝缘区域，该多晶硅层的中间固定区域外的其他区域为掺杂区域；在N型外延层上依次形成P-体区、N型源区、氮化硅层、P+区、介质层、接触孔和金属层。本发明实施例彻底消除了现有VDMOS的栅-漏电容。 | ||
| 申请公布号 | CN104900527A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201410083649.4 | 申请日期 | 2014.03.07 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里;李理;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体VDMOS的制造方法，其特征在于，包括：在N型外延层上形成栅氧化层；在所述栅氧化层上形成多晶硅层，所述多晶硅层的中间固定区域为绝缘区域，所述多晶硅层的中间固定区域外的其他区域为掺杂区域；在所述N型外延层上依次形成P‑体区、N型源区、氮化硅层、P+区、介质层、接触孔和金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||