| 摘要 |
<p>반도체 디바이스는 논리 엘리먼트와 함께 공통 층간 금속 유전체(IMD)층에 배치되도록 구성된 자기 터널 접합(MTJ) 저장 엘리먼트를 포함한다. 캡층들은 공통 IMD 층을 상부 및 하부 IMD 층으로부터 분리시킨다. 상부 및 하부 전극들은 MTJ 저장 엘리먼트에 연결된다. 전극들에 대한 금속 연결부들이 별개의 캡층들 내의 비아들을 통해 각각 상부 및 하부 IMD 층들 내에 형성된다. 대안으로, 하부 IMD 층 내 금속 연결부들에 대한 직접 접촉이 확립되도록, 별개의 캡층들이 리세스되고 하부 전극들이 임베딩된다. 공통 IMD 층 내 상부 전극에 대한 금속 연결부들은, 금속 아일랜드들 및 아이솔레이팅 캡들을 이용하여 이 금속 연결부들을 MTJ 저장 엘리먼트들로부터 아이솔레이팅시킴으로써 인에이블된다.</p> |
