| 摘要 |
반도체 디바이스(400)를 제작하는 방법이 반도체 물질 층(402) 및 반도체 물질 층(402) 위의 절연 물질 층(404)을 포함하는 기판 위에, 하드 마스크 물질 층(408)이 절연 물질 층(404) 위에 놓이도록 하드 마스크 물질 층(408)을 형성함으로써 시작된다. 하드 마스크 물질 층(408) 위에 포토레지스트 피쳐들의 결합된 패턴을 생성하기 위하여 다중 노광 포토리쏘그래피 과정이 수행되며, 포토레지스트 피쳐들의 결합된 패턴을 사용하여, 리세스 라인 패턴이 하드 마스크 물질 내에 있게된다. 리세스 라인 패턴(422)의 지정된 부분들을 포토레지스트 피쳐들의 블로킹 패턴(442)으로 덮고, 절연 물질(404) 내에 트렌치들의 패턴(452)을 형성함으로서 방법이 계속되며, 트렌치들의 패턴(452)은 포토레지스트 피쳐들의 블로킹 패턴(442) 및 하드 마스크(408)에 의해 정의된다. 그후, 전기 전도성 물질(472)이 트렌치들(452) 내에 증착되어, 결과적으로 반도체 디바이스를 위한 전도성 라인들이 형성된다. |
