| 摘要 |
本転写プロセスは、以下のステップ、（ａ）ドナー基板（２）及び支持基板（３）を準備するステップ、（ｂ）ドナー基板（２）中に脆化領域（４）を形成するステップ、（ｃ）ドナー基板（２）の第１の部分（１）と支持基板（３）との間にボンディング層（５）と呼ばれるものを形成するステップ、（ｄ）ドナー基板（２）を支持基板（３）と組み立てるステップを含み、以下のステップを含むという点で注目に値する。（ｅ）所定の電力密度での曝露時間の間、脆化領域（４）の一部（４０）を電磁波照射（６）に連続して曝露するステップであって、曝露時間は、支持基板（３）がドナー基板（２）の第１の部分（１）から熱的に分離されるように、ボンディング層の厚さ（Ｅ）に依存して選ばれ、曝露時間は、脆化領域（４）を弱める動力学を活性化させるために、電力密度に依存して選ばれる、ステップ。【選択図】 図１ |
