アンチヒューズを採用した集積回路デバイスおよびこのデバイスを作製する方法

摘要

１つの特徴は、アクセストランジスタとアンチヒューズとを含む集積回路に関する。アクセストランジスタは、少なくとも１つのソース／ドレイン領域を含み、アンチヒューズは、導体−絶縁体−導体構造を有する。アンチヒューズは、第１の電極として機能する第１の導体を含み、アンチヒューズ誘電体および第２の導体も含む。第１の電極の第１の表面は、アンチヒューズ誘電体の第１の表面に結合され、アンチヒューズ誘電体の第２の表面は、第２の導体の第１の表面に結合される。第２の導体は、アクセストランジスタのソース／ドレイン領域に電気的に結合される。アンチヒューズは、アンチヒューズ誘電体破壊電圧よりも大きいか、またはそれに等しいプログラミング電圧Ｖｐｐが、第１の電極と第２の導体との間に印加される場合、開回路状態から閉回路状態に遷移するように構成される。