Nitride semiconductor light emitting device

摘要

질화물 반도체 발광소자가 개시된다. n형 질화물층과 p형 질화물층 사이에 형성되는 활성층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자로서, 활성층은 교대로 형성되는 복수의 양자우물층 및 양자장벽층을 포함하며, 복수의 양자장벽층 중, p형 질화물층에 인접하여 형성되는 양자장벽층은, 나머지 양자장벽층보다 얇은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자는, 활성층의 결정성을 확보함과 동시에 광효율을 향상시킬 수 있다.