| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt eine Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (10), der einen Steueranschluss (G) sowie einen ersten Hauptanschluss (D) und einen zweiten Hauptanschluss (S), zwischen denen ein Kanal gebildet ist, umfasst. Die Schaltungsanordnung umfasst eine Einheit (21, 22, 24, 25, 26, 27, 28) zur Erzeugung eines Ansteuersignals, durch das der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (10) zwischen einem ersten Schaltzustand (EIN) und einem zweiten Schaltzustand (AUS) wechselnd hin- und her geschaltet wird. Die Schaltungsanordnung umfasst eine Einheit (23) zur Stromauswertung, die zwischen dem Steueranschluss (G) und dem zweiten Hauptanschluss (S) verschaltet ist. Die Einheit (23) zur Stromauswertung ist dazu ausgebildet, den durch den Steueranschluss (G) fließenden inversen Strom (Ig) zu messen und aus der Höhe des gemessenen Stroms (Ig) die absolute Temperatur des Sperrschicht-Feldeffekttransistors (10) zu bestimmen, wenn bzw. sobald die Einheit (21, 22, 24, 25, 26, 27, 28) zur Erzeugung des Ansteuersignals beim Übergang von dem ersten Schaltzustand (EIN) zu dem zweiten Schaltzustand (AUS) die zwischen dem Steueranschluss (G) und dem zweiten Hauptanschluss (S) anliegende Spannung (Vgs) über die Punch-through-Spannung hinaus gesteuert hat.</p> |
