发明名称 Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit Erzeugung einer Ablöseebene und der Ablösung einer Festkörperschicht entlang der Ablöseebene
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Festkörperschichten. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Festkörpers zum Abtrennen einer Festkörperschicht, wobei der Festkörper einerseits eine erste Oberfläche und andererseits eine zweite Oberfläche aufweist, wobei sich die erste Oberfläche zumindest teilweise in einer ersten Ebene erstreckt und wobei sich die zweite Oberfläche zumindest teilweise in einer zweiten Ebene erstreckt, wobei die erste Ebene und die zweite Ebene zueinander parallel ausgerichtet sind, Erzeugen von Effekten innerhalb des Festkörpers zum Beeinflussen eines Verlaufs eines den Festkörper in zumindest zwei Teile trennenden Risses, wobei die erzeugten Effekte eine Ablöseebene vorgeben, entlang der die Festkörperschicht von dem Festkörper abgetrennt wird, Koppeln der ersten Oberfläche mit einem ersten Krafteinleitungsmittel, Koppeln der zweiten Oberfläche mit einem zweiten Krafteinleitungsmittel, und Einleiten von Spannungen mittels der Krafteinleitungsmittel in den Festkörper zum Teilen des Festkörpers entlang der Ablöseebene.
申请公布号 DE102014002909(A1) 申请公布日期 2015.09.03
申请号 DE20141002909 申请日期 2014.02.28
申请人 SILTECTRA GMBH 发明人 DRESCHER, WOLFRAM;SCHILLING, FRANZ;RICHTER, JAN
分类号 H01L21/304;C30B30/00 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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