发明名称 |
CIGS薄膜电池 |
摘要 |
本实用新型涉及电力生产领域,尤其涉及一种CIGS薄膜电池,基底,通过溅射法沉积钼在所述基底上的背接触件,通过共蒸镀法沉积在所述背接触件上的P型CIGS层,淀积在所述P型CIGS层上的N型CIGS层和通过电子束蒸镀法沉积氟化镁在所述N型CIGS层上的反射防止膜。本实用新型通过将P型CIGS层耦合到N型CIGS层,形成具有单一连接点的光吸收层,无需设置具有硫化镉的缓冲层,提高了太阳能电池性能,避免了有毒物质对薄膜及环境的污染。 |
申请公布号 |
CN204614795U |
申请公布日期 |
2015.09.02 |
申请号 |
CN201420814184.0 |
申请日期 |
2014.12.20 |
申请人 |
云南能投能源产业发展研究院 |
发明人 |
张明宇;安娜 |
分类号 |
H01L31/04(2014.01)I;H01L31/055(2014.01)I;H01L31/0216(2014.01)I |
主分类号 |
H01L31/04(2014.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种CIGS薄膜电池,其特征在于,包括:基底,通过溅射法沉积钼在所述基底上的背接触件,通过共蒸镀法沉积在所述背接触件上的P型CIGS层,淀积在所述P型CIGS层上的N型CIGS层和通过电子束蒸镀法沉积氟化镁在所述N型CIGS层上的反射防止膜;所述背接触件与所述基底连接,所述P型CIGS层与所述背接触件连接,所述N型CIGS层与所述P型CIGS层连接,所述反射防止膜与所述N型CIGS层连接。 |
地址 |
650000 云南省昆明市人民中路20号美亚大厦24楼 |