一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器

摘要

本实用新型公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器；包括衬底、h-BN移除层、AlN缓冲层、GaN沟道层、隔离层AlN、非掺杂Al_0.3Ga_0.7N势垒层和帽层GaN；所述的h-BN移除层下方粘贴有开有孔洞的金属铜衬底，h-BN移除层上生长AlN缓冲层；接着在AlN缓冲层上面外延生长GaN沟道层；之后在沟道层GaN上外延生长隔离层AlN，接着在隔离层AlN上外延生长非掺杂Al_0.3Ga_0.7N势垒层和帽层GaN；帽层上设有AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；本实用新型通过h-BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。

主权项

一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器；包括衬底、h‑BN移除层、AlN缓冲层、 GaN沟道层、隔离层AlN、非掺杂Al_0.3Ga_0.7N势垒层和帽层GaN；其特征在于：所述的h‑BN移除层下方粘贴有开有孔洞的金属铜衬底，h‑BN移除层上生长AlN缓冲层；接着在AlN缓冲层上面外延生长GaN沟道层；之后在沟道层GaN上外延生长隔离层AlN，接着在隔离层AlN上外延生长非掺杂Al_0.3Ga_0.7N势垒层和帽层GaN；帽层上设有AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；所述的h‑BN移除层厚度为3nm；所述的AlN缓冲层厚度为100nm；所述的GaN沟道层厚度为1.9μm；所述的AlN隔离层厚度为1nm；所述的Al_0.3Ga_0.7N势垒层厚度为20nm；所述的GaN帽层厚度为2nm。