| 发明名称 | 具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于场效应晶体管技术领域，旨在提供一种具有宽沟道深凹陷且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法；采用的技术方案为：自上而下设置有4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层的表面分别设置有源电极和漏电极，N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有阶梯状的栅电极，栅电极和N型沟道层两侧形成左侧沟道和右侧沟道，栅电极的低栅面与N型沟道层表面平齐，栅电极低栅面正下方的P型缓冲层上设置有凹槽。 | ||
| 申请公布号 | CN104882483A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201510223664.9 | 申请日期 | 2015.05.05 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 贾护军;张航;邢鼎;杨银堂 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11466 | 代理人 | 林潮;张璐 |
| 主权项 | 具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管，自上而下设置有4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)的两侧分别设置有源极帽层(4)和漏极帽层(5)，所述源极帽层(4)和漏极帽层(5)的表面分别设置有源电极(6)和漏电极(7)，其特征在于：N型沟道层(3)中部且靠近源极帽层(4)的一侧设置有阶梯状的栅电极(10)，栅电极(10)和N型沟道层(3)两侧形成左侧沟道(8)和右侧沟道(9)，栅电极(10)的低栅面与N型沟道层(3)表面平齐，栅电极(10)低栅面正下方的P型缓冲层(2)上设置有凹槽(11)。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||