FLASH存储装置、擦除方法及编程方法

摘要

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种FLASH存储装置及FLASH存储装置的擦除方法和编程方法。FLASH存储装置包括存储阵列；存储阵列包括数据存储模块和快表模块；数据存储模块包括m个子数据存储模块；快表模块包括m个子快表模块，m个子快表模块分别存储m个子数据存储模块的擦除条件和/或编程条件；对存储阵列中预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除或编程时，获取与预擦除或预编程子数据存储模块对应的子快表模块中存储的擦除或编程条件，根据子快表模块存储的擦除或编程条件对预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除操作或编程操作。本发明实施例提供的技术方案，提升了FLASH存储装置的擦除或编程性能，进而提升了FLASH存储装置的可靠性。

主权项

一种FLASH存储装置，其特征在于，包括存储阵列；所述存储阵列包括数据存储模块和快表模块；所述数据存储模块包括m个子数据存储模块；所述快表模块包括m个子快表模块，所述m个子快表模块分别存储所述m个子数据存储模块的擦除条件和/或编程条件；所述擦除条件或编程条件指施加于子数据存储模块，以使子数据存储模块中存储单元阈值电压变化的条件；对存储阵列中预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除或编程时，获取与所述预擦除或预编程子数据存储模块对应的子快表模块中存储的擦除或编程条件，根据所述子快表模块存储的擦除或编程条件对所述预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除操作或编程操作；其中，m为正整数，1≤m。