发明名称 半导体光检测器
摘要 本发明提供一种半导体光检测器,通过与以往相比大幅减小暗噪声和倍增噪声,从而能够检测包含随机光在内的微弱光。半导体光检测器至少具有1个单位像素,该单位像素具有光电变换部、电荷积蓄部、以及检测电路。电荷积蓄部对入射光进行光电变换,并且具有通过雪崩倍增对电荷进行倍增的电荷倍增区域。电荷积蓄部与光电变换部连接,积蓄来自光电变换部的信号电荷。检测电路与电荷积蓄部连接,将电荷积蓄部中积蓄的信号电荷变换为电压,通过放大部进行放大后输出。
申请公布号 CN104885222A 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201380066623.2 申请日期 2013.10.01
申请人 松下知识产权经营株式会社 发明人 薄田学;广濑裕;加藤刚久;寺西信一
分类号 H01L27/146(2006.01)I;G01J1/42(2006.01)I;G01T1/20(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;H04N5/369(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李国华
主权项 一种半导体光检测器,至少具备1个单位像素,所述单位像素具有:光电变换部,其对入射光进行光电变换,并且具有通过雪崩倍增对电荷进行倍增的电荷倍增区域;电荷积蓄部,其与所述光电变换部连接,积蓄来自所述光电变换部的信号电荷;以及检测电路,其与所述电荷积蓄部连接,将所述电荷积蓄部中积蓄的所述信号电荷变换为电压,通过放大部进行放大后输出。
地址 日本国大阪府