MOS开关电容电路的芯片集成结构

摘要

MOS开关电容电路的芯片集成结构，包括A型外延层，还包括位于A型外延层上的第一B型器件和第二B型器件，所述第一B型器件和第二B型器件之间为A型重掺杂区，所述A型重掺杂区的掺杂浓度大于A型外延层，所述A型重掺杂区紧邻第一B型器件内侧有源区，所述A型重掺杂区的底部具有向第一B型器件的内侧有源区底部延伸的延伸部；所述第一B型器件的内侧有源区与第二B型器件栅极电连接；所述A型、B型为载流子是空穴或电子的导电类型，B型器件为MOS器件。本发明将常用的开关电容电路各个器件统一设计和制造，显著减小了开关电容电路的面积，减少了芯片制造过程的器件连线，简化设计的同时降低了开关电容电路芯片的制造成本。

主权项

MOS开关电容电路的芯片集成结构，包括A型外延层，其特征在于，还包括位于A型外延层上的第一B型器件和第二B型器件，所述第一B型器件和第二B型器件之间为A型重掺杂区，所述A型重掺杂区的掺杂浓度大于A型外延层，所述A型重掺杂区紧邻第一B型器件内侧有源区，所述A型重掺杂区的底部具有向第一B型器件的内侧有源区底部延伸的延伸部；所述第一B型器件的内侧有源区与第二B型器件栅极电连接；所述A型、B型为载流子是空穴或电子的导电类型，B型器件为MOS器件。