相变存储器制造方法

摘要

一种相变存储器制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区域和外围区域；在外围区域衬底表面形成隔离介质层，在存储区域衬底内形成n⁺型埋层；在存储区域衬底内形成通孔，所述通孔暴露所述n+型埋层；在所述通孔内形成高度小于所述通孔的n型硅外延层；在所述n型硅外延层表面形成填充满所述通孔的p型硅外延层；在所述n型外延层表面形成填充满所述通孔的p型硅外延层。本发明所提供的相变存储器制作方法分两步分别沉积用于形成n型硅外延层和p型硅外延层的硅外延层，并且在沉积硅外延层时对外围区域衬底形成保护。采用本发明所提供的相变存储器制造方法可以提高相变存储器的性能，降低工艺难度。

主权项

一种相变存储器制造方法，其特征在于，包括提供衬底，所述衬底包括存储区域和外围区域；在存储区域衬底内形成通孔，在外围区域衬底表面形成隔离介质层；所述隔离介质层形成后，在所述通孔内形成高度小于所述通孔的n型硅外延层，形成的所述n型硅外延层的厚度小于所述通孔的深度；在所述n型外延层表面形成填充满所述通孔的p型硅外延层；所述n型硅外延层与所述p型硅外延层形成后，去除外围区域衬底表面的隔离介质层，在外围区域衬底表面形成CMOS晶体管。