一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法

摘要

本发明公开了一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法。将通过热蒸发过程生长出来的硫化镉纳米带转移到硅的基底上，然后使用离子注入技术将氮离子注入掺杂到选取的单根硫化镉纳米带中。随后将注入过的样品放入管式退火炉中在350度下退火40分钟。本发明中使用的硅基底是通过光刻技术标记过的，这样有利于我们找到选取的单根纳米带，从而达到精确掺杂单根纳米带的目的。掺杂之后的纳米带在未来制作纳米电子器件中将会有重要的应用。

主权项

一种掺杂单根纳米带的方法，其特征在于：（1）用真空蒸镀技术在二氧化硅上镀上金纳米层作为催化剂，然后使用热蒸发方法在二氧化硅上生长硫化镉纳米带；（2）使用光刻技术在硅片上做出标记，通过机械转移的方法把硫化镉纳米带转移到标记过的硅片上；（3）通过扫描电子显微镜或光学显微镜选取需要掺杂的单根纳米带，并通过标记对选取的单根纳米带进行定位；（4）将硫化镉纳米带连同硅片放在离子注入机中，进行杂质离子注入，杂质离子为氮，注入能量为30 keV，剂量为510¹⁵ions/cm²；（5）在300~400 ℃下，惰性气氛中进行退火处理20~60分钟，通过标记找到之前定位的单根纳米带。