发明名称 掩膜板及其制作方法、光刻胶层的曝光方法
摘要 一种掩膜板及其制作方法、光刻胶层的曝光方法,掩膜板包括透明基板,所述透明基板的预定区域具有掺杂离子,具有掺杂离子的预定区域构成掩膜板上的图形;所述掺杂离子在泵浦光的照射下实现从低能级到高能级的跃迁;实现从低能级到高能级的跃迁后,所述掺杂离子在诱导光的照射下,产生发射光线,所述发射光线的波长、相位、振幅、传播方向均与所述诱导光相同,且所述发射光线的光强大于所述诱导光和泵浦光的光强。本技术方案改变了传统的对光刻胶层进行曝光的方法,就避免了光线经过掩膜板时的衍射现象,无论图形的特征尺寸缩小到何种程度,均可以利用该掩膜板进行光刻胶层的曝光工艺。
申请公布号 CN103186035B 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201110459372.7 申请日期 2011.12.31
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 王辉;顾一鸣
分类号 G03F1/50(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F1/50(2012.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种应用于光刻工艺的掩膜板,其特征在于,包括:透明基板,利用对透明基板进行掺杂的方式,在所述透明基板的预定区域具有掺杂离子,具有掺杂离子的预定区域构成掩膜板上的图形;所述掺杂离子在泵浦光的照射下实现从低能级到高能级的跃迁;实现从低能级到高能级的跃迁后,所述掺杂离子在诱导光的照射下,产生发射光线,所述发射光线的波长、相位、振幅、传播方向均与所述诱导光相同,且所述发射光线的光强大于所述诱导光和泵浦光的光强。
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