发明名称 |
掩膜板及其制作方法、光刻胶层的曝光方法 |
摘要 |
一种掩膜板及其制作方法、光刻胶层的曝光方法,掩膜板包括透明基板,所述透明基板的预定区域具有掺杂离子,具有掺杂离子的预定区域构成掩膜板上的图形;所述掺杂离子在泵浦光的照射下实现从低能级到高能级的跃迁;实现从低能级到高能级的跃迁后,所述掺杂离子在诱导光的照射下,产生发射光线,所述发射光线的波长、相位、振幅、传播方向均与所述诱导光相同,且所述发射光线的光强大于所述诱导光和泵浦光的光强。本技术方案改变了传统的对光刻胶层进行曝光的方法,就避免了光线经过掩膜板时的衍射现象,无论图形的特征尺寸缩小到何种程度,均可以利用该掩膜板进行光刻胶层的曝光工艺。 |
申请公布号 |
CN103186035B |
申请公布日期 |
2015.09.02 |
申请号 |
CN201110459372.7 |
申请日期 |
2011.12.31 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
王辉;顾一鸣 |
分类号 |
G03F1/50(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/50(2012.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种应用于光刻工艺的掩膜板,其特征在于,包括:透明基板,利用对透明基板进行掺杂的方式,在所述透明基板的预定区域具有掺杂离子,具有掺杂离子的预定区域构成掩膜板上的图形;所述掺杂离子在泵浦光的照射下实现从低能级到高能级的跃迁;实现从低能级到高能级的跃迁后,所述掺杂离子在诱导光的照射下,产生发射光线,所述发射光线的波长、相位、振幅、传播方向均与所述诱导光相同,且所述发射光线的光强大于所述诱导光和泵浦光的光强。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |