发明名称 磁阻元件的制造方法
摘要 本发明提供一种磁阻效果元件的制造方法,所述磁阻效果元件当在金属氧化物的隧道势垒层的形成期间改进生产量的同时使金属氧化时,能够降低金属的升华。本发明的实施方案为磁阻效果元件的制造方法,其中所述方法包括隧道势垒层的形成步骤。隧道势垒层的形成步骤包括膜形成步骤和氧化步骤。在膜形成步骤中,在基板上形成金属膜,和在氧化步骤中,使金属膜进行氧化处理。在氧化步骤中,将Mg形成的基板保持在其中进行氧化处理的处理容器内的基板保持件上,在Mg不升华的温度下将氧气导入至处理容器内,将氧气供给至基板,并且在氧气导入后加热基板。
申请公布号 CN104885245A 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201380067306.2 申请日期 2013.09.04
申请人 佳能安内华股份有限公司 发明人 清野拓哉;西村和正;奥山博基;大谷裕一;室冈勇太;岛根由光
分类号 H01L43/12(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I 主分类号 H01L43/12(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种磁阻元件的制造方法,其包括:形成磁化自由层和磁化固定层之一的步骤;在形成的所述磁化自由层和所述磁化固定层之一上形成隧道势垒层的步骤;和在所述隧道势垒层上形成所述磁化自由层和所述磁化固定层的另一者的步骤,其中所述形成隧道势垒层的步骤包括在基板上沉积金属膜的沉积步骤,和使所述金属膜进行氧化处理的氧化步骤,其中所述氧化步骤包括将具有其上形成的金属膜的所述基板保持在进行所述氧化处理的处理容器内的基板保持件上的基板保持步骤,通过在所述金属膜不升华的温度下将氧气导入至所述处理容器内而将所述氧气供给至所述基板的供给步骤,在导入所述氧气的同时或其后加热所述基板的加热步骤。
地址 日本神奈川县