用于高纵横比氧化物蚀刻的氟碳分子

摘要

公开了用于在基质上的含Si层中等离子体蚀刻通道孔、栅槽、阶梯触点、电容器孔、接触孔等的蚀刻气体，和使用它的等离子体蚀刻方法。蚀刻气体为反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；顺-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；六氟异丁烯；六氟环丁烷(反-1,1,2,2,3,4)；五氟环丁烷(1,1,2,2,3-)；四氟环丁烷(1,1,2,2-)；或六氟环丁烷(顺-1,1,2,2,3,4)。蚀刻气体可提供在含Si层与掩模材料之间改进的选择性，较少的对通道区域的损害、直垂直剖面和图案高纵横比结构中减少的卷曲。

主权项

蚀刻含硅膜的方法，所述方法包括：将蚀刻气体引入包含在基质上的含硅膜的等离子体反应室中，其中蚀刻气体选自反‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯；顺‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯；六氟异丁烯；六氟环丁烷(反‑1,1,2,2,3,4)；五氟环丁烷(1,1,2,2,3‑)；四氟环丁烷(1,1,2,2‑)；和六氟环丁烷(顺‑1,1,2,2,3,4)；将惰性气体引入等离子体反应室中；和将等离子体活化以产生能够由基质选择性蚀刻含硅膜的经活化的蚀刻气体。