发明名称 恒流电路
摘要 本发明提供能够以更低的电源电压动作的恒流电路。若电源电压VDD比耗尽型NMOS晶体管(10)的漏极/源极间电压Vds10与NMOS晶体管(15)的栅极/源极间电压Vgs15的相加电压高,则恒流电路能够动作。作为恒流电路的电源电压VDD,需要1个漏极/源极间电压与1个栅极/源极间电压的相加电压,而不需要1个漏极/源极间电压与2个栅极/源极间电压的相加电压,因此恒流电路的最低动作电源电压变低。
申请公布号 CN102402237B 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201110284063.0 申请日期 2011.09.14
申请人 精工电子有限公司 发明人 富冈勉;杉浦正一
分类号 G05F1/10(2006.01)I 主分类号 G05F1/10(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 何欣亭;王忠忠
主权项 一种恒流电路,是提供恒流的恒流电路,其特征在于,具备:作为电流源的第1耗尽型第二导电型MOS晶体管,其漏极与第一电源端子连接;第1电流镜电路,反射所述第1耗尽型第二导电型MOS晶体管中流动的电流,所述第1电流镜电路具备:作为输入侧的晶体管、源极与第二电源端子连接的第1第二导电型MOS晶体管,以及作为输出侧的晶体管、源极与所述第二电源端子连接的第2第二导电型MOS晶体管;第2电流镜电路,反射所述第1电流镜电路中流动的电流,所述第2电流镜电路具备:作为输入侧的晶体管、源极与所述第一电源端子连接的第1第一导电型MOS晶体管,以及作为输出侧的晶体管、源极与所述第一电源端子连接且漏极与所述第1耗尽型第二导电型MOS晶体管的栅极连接的第2第一导电型MOS晶体管;电阻,一个端子与所述第1耗尽型第二导电型MOS晶体管的源极连接,另一端子与所述第1第二导电型MOS晶体管的漏极和栅极连接;以及第3第二导电型MOS晶体管,其栅极与所述电阻的与所述第1耗尽型第二导电型MOS晶体管的源极连接的一个端子连接,源极与所述第二电源端子连接,漏极与所述第2电流镜电路的输出端子连接,所述第3第二导电型MOS晶体管的阈值比所述第1第二导电型MOS晶体管的阈值高。
地址 日本千叶县千叶市