一种准单晶硅片绒面的制备方法

摘要

本发明公开了一种准单晶硅片绒面的制备方法，属于半导体晶体硅及太阳能电池制造技术领域，本发明将准单晶硅片置于呈碱性的准单晶制绒液中进行反应制得准单晶硅片绒面，并根据准单晶硅片中（100）晶粒所占的面积来调整腐蚀的深度，以达到最好的制绒效果。本发明简化了准单晶制绒工艺，降低了准单晶电池片生产成本，有效地降低了准单晶硅片绒面的反射率，提高了准单晶电池片的光电转换效率。

主权项

一种准单晶硅片绒面的制备方法，其特征是，将准单晶硅片置于呈碱性的准单晶制绒液中进行反应制得准单晶硅片绒面，反应温度为70℃‑90℃，反应时间为10‑30min；所述准单晶制绒液由碱、异丙醇、制绒添加剂和溶剂组成；所述准单晶制绒液的配制为每180L纯水加入2kg的NaOH或KOH，6L异丙醇，800mL制绒添加剂；制绒时：准单晶硅片插入硅片承载盒，硅片承载盒放入制绒花篮中；制绒花篮由机械手提入制绒槽内，制绒槽内盛放准单晶制绒液，关闭制绒槽盖，制绒后由机械手将花篮提出，在提出的过程中，机械手上的喷嘴用纯水对硅片进行喷淋；制绒花篮内的硅片经过清洗、喷淋后，放入甩干机内甩干，即得到制备好绒面的准单晶硅片。