发明名称 碳化硅纤维增强碳化硅复合材料吸波陶瓷及其制备方法
摘要 本发明公开了一种碳化硅纤维增强碳化硅复合材料吸波陶瓷,该吸波陶瓷由连续碳化硅纤维增强碳化硅复合材料构成,其是以多层叠加的碳化硅纤维布作为增强体,且碳化硅纤维布通过碳纤维Z向缝合方式连接成一整体,其在常温下8GHz~18GHz频段内反射率低于-8dB的带宽为6.5GHz~10GHz;密度在2.1g·cm<sup>-3</sup>以下。本发明产品的制备包括:先用连续碳化硅纤维编制成碳化硅纤维平纹布;再采用碳纤维Z向缝合的方式将平纹布连接为整体制得预成型体;最后采用先驱体浸渍裂解工艺对预成型体进行浸渍、高温裂解和反复致密化,制得本发明的吸波陶瓷。本发明的产品具有结构简单、吸收频带宽、质量轻、厚度薄、力学性能好等优点。
申请公布号 CN103922776B 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201410128311.6 申请日期 2014.04.01
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 刘海韬;程海峰;田浩;姜如;周永江
分类号 C04B35/80(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/80(2006.01)I
代理机构 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人 段迎春
主权项 一种碳化硅纤维增强碳化硅复合材料吸波陶瓷,所述吸波陶瓷主要由连续碳化硅纤维增强碳化硅复合材料构成,其特征在于:所述吸波陶瓷是以多层叠加的碳化硅纤维布作为增强体,且多层叠加的碳化硅纤维布通过碳纤维<i>Z</i>向缝合方式连接成一整体,所述吸波陶瓷在常温下8GHz~18GHz频段内反射率低于‑8dB的带宽为6.5GHz~10GHz;所述吸波陶瓷的密度在2.1g·cm<sup>‑3</sup>以下;所述吸波陶瓷为单层结构,所述单层结构是指所述吸波陶瓷的基体材料和增强材料在吸波陶瓷内的分布相对均质单一,材料的性质不发生显著的层间变化;所述吸波陶瓷是通过先驱体浸渍裂解工艺制备得到;所述碳化硅纤维布为碳化硅纤维平纹布,所述吸波陶瓷在<i>Z</i>向缝合方向上的厚度小于3mm,所述碳化硅纤维平纹布的厚度为0.4mm~0.45mm,叠加层数不超过8层;所述碳纤维的缝合密度为9针/cm<sup>2</sup>~16针/cm<sup>2</sup>。
地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号