发明名称 半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法
摘要 本发明涉及半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法,属于半导体陶瓷封装技术领域。在金属盖板表面预置镀金属层,在陶瓷外壳焊接区域预置镀层金属封口框;将焊料环点焊在金属盖板的镀金属层上;在氮气气氛下,将金属盖板与陶瓷外壳的金属封口框对位,利用平行缝焊设备使用小角度(5°)铜电极进行低功率焊接,使焊料环充分熔化并分别与金属盖板的镀金层和陶瓷外壳的金属封口框焊接,完成电路的熔封。本发明的方法避免了平行缝焊过程中,脉冲过大,局部集中加热温度过高的问题;避免了熔封工艺中使电路内部芯片和键合处在高温状态中;降低了平行缝焊的最高温度。
申请公布号 CN103056500B 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201210516162.1 申请日期 2012.11.30
申请人 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 发明人 冯小成;李冬梅;荆林晓;郝贵争;陈建安;贺晋春;井立鹏
分类号 B23K11/00(2006.01)I;B23K11/36(2006.01)I;B23K35/30(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 主分类号 B23K11/00(2006.01)I
代理机构 中国航天科技专利中心 11009 代理人 安丽
主权项 半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法,所述的封帽包括陶瓷外壳、芯片和金属盖板;所述的陶瓷外壳带有空腔,所述的芯片放置在陶瓷外壳的空腔内;所述的金属盖板盖在陶瓷外壳的顶端,通过焊接方法将所述的陶瓷外壳和金属盖板进行密封,其特征在于焊接方法的步骤包括:1)在金属盖板焊接区域预置镀金属层,在陶瓷外壳焊接区域预置镀层金属封口框;2)将焊料环点焊在金属盖板的镀金属层上;3)在氮气气氛下,将步骤2)得到的金属盖板与陶瓷外壳的金属封口框对位,利用平行缝焊设备使用小角度电极进行焊接,使焊料环充分熔化并分别与金属盖板的镀金属层和陶瓷外壳的金属封口框焊接,完成金属盖板与陶瓷外壳的熔封;步骤1)中金属盖板预置镀金属层的过程是在金属盖板表面依次预置Ni层、Au层、Ni层、Au层;步骤1)中陶瓷外壳焊接区域预置镀层金属封口框的过程为在陶瓷外壳焊接区域预置Ni层、然后在Ni层外预置Au层,形成Au封口框;步骤3)中小角度电极为5°电极,电极材料为铜。
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