| 发明名称 | 一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管。该场效应管包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）；所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用碳纳米管材料制作，在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的栅极（G），所述的栅极（G）采用两种不同功函数的导电金属制作，形成双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的异质栅；具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低(DIBL)效应，并能够较好满足ITRS’10相关性能指标要求。 | ||
| 申请公布号 | CN103094347B | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201310010494.7 | 申请日期 | 2013.01.11 |
| 申请人 | 南京邮电大学 | 发明人 | 王伟;夏春萍;肖广然 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 江苏爱信律师事务所 32241 | 代理人 | 唐小红 |
| 主权项 | 一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管，其特征在于该场效应管包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）；所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用碳纳米管材料制作，采用一根本征半导体碳纳米管，其最中间部分作为双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的导电沟道（1），对本征半导体碳纳米管的两端采用分子或金属离子进行N型重掺杂后，分别作为双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的源区（2）、漏区（3）；在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的栅极（G），所述的栅极（G）采用两种不同功函数的导电金属制作，形成双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的异质栅；所述的源区（2）和漏区（3）分别与栅极（G）均有一段距离，形成双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的欠叠栅；在位于源区（2）和漏区（3）之上的栅极氧化层（4）上分别刻蚀一源极引线孔和漏极引线孔，在该源极引线孔内制备所述的源极（S），在漏极引线孔内制备所述的漏极（D）；所述的栅极氧化层（4）和栅极（G）都以同轴的方式环绕碳纳米管；所述的双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的异质栅中靠近源区（2）的金属栅材料功函数比靠近漏区（3）金属栅的功函数大，并且二者等长，均为栅极（G）长度的一半；所述的源区（2）和漏区（3）距离栅极（G）长度分别为<i>L</i><sub>1</sub>、<i>L</i><sub>2</sub>，并且<i>L</i><sub>1</sub>与<i>L</i><sub>2</sub>相等；所述的源极（S）和漏极（D）均由导电金属制作。 | ||
| 地址 | 210003 江苏省南京市新模范马路66号 | ||