半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有包括背侧照明型光电转换元件、标记状外观部、焊盘电极以及耦合部的芯片区。标记状外观部包括覆盖形成在半导体衬底中的沟槽部的全部侧表面的绝缘膜。焊盘电极设置在与标记状外观部重叠的位置处。耦合部耦合焊盘电极和标记状外观部。衬底的另一主表面侧的焊盘的至少一部分通过从衬底的另一主表面侧到达焊盘电极的开口暴露。标记状外观部和耦合部设置为在平面图中至少部分地围绕开口的外周。

主权项

一种半导体器件，包括：芯片区，所述芯片区包括：具有主表面的半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的光电转换元件；标记状外观部，所述标记状外观部从所述半导体衬底的主表面中的一个主表面朝向与所述一个主表面相反的另一主表面侧延伸，并且用于将光施加至所述光电转换元件；焊盘电极，所述焊盘电极设置在与所述半导体衬底的所述一个主表面侧的所述标记状外观部重叠的位置处；以及用于耦合所述焊盘电极和所述标记状外观部的耦合部，其中所述标记状外观部包括覆盖形成在所述半导体衬底中的沟槽部的全部侧表面的绝缘膜，其中所述另一主表面侧的所述焊盘电极的至少一部分通过从所述半导体衬底的所述另一主表面侧到达所述焊盘电极的开口而暴露，并且其中以在平面图中围绕所述开口的外周的至少一部分的方式设置所述标记状外观部和所述耦合部。