快速擦除的FLASH芯片及擦除方法

摘要

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种快速擦除的FLASH芯片及擦除方法。快速擦除的FLASH芯片包括：存储阵列，存储阵列包括m个子存储阵列和隔离字线区域；m个子存储阵列形成于同一阱区，以及每一个子存储阵列的大小和FLASH芯片预设的最小擦除范围的大小相同；隔离字线区域形成在相邻的子存储阵列之间；m个子字线驱动电路，分别连接于m个子存储阵列，每一子字线驱动电路对与其相连接的子存储阵列提供驱动电压信号；以及位线选择电路，提供多根位线，连接于存储阵列每列存储单元中不包括隔离字线区域存储单元的漏极，用于选择存储阵列中存储单元。本发明技术方案，提升FLASH芯片的擦除速度，进而提升FLASH芯片的擦除效率。

主权项

一种快速擦除的FLASH芯片，其特征在于，包括：存储阵列，所述存储阵列包括m个子存储阵列和隔离字线区域；所述m个子存储阵列形成于同一阱区，以及每一个子存储阵列的大小和FLASH芯片预设的最小擦除范围的大小相同；隔离字线区域形成在相邻的子存储阵列之间；m个子字线驱动电路，分别连接于m个子存储阵列，所述每一个子字线驱动电路对与其相连接的子存储阵列提供驱动电压信号；以及位线选择电路，提供多根位线，连接于所述存储阵列中每列存储单元的漏极，用于选择存储阵列中存储单元；其中，m为正整数，2≤m。