| 发明名称 | III族氮化物外延基板以及其的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供减少形成主层叠体后的翘曲、并且提高纵向耐压的III族氮化物外延基板以及其的制造方法。本发明的III族氮化物外延基板(10)的特征在于，具有：Si基板(11)；与该Si基板(11)连接的初期层(14)；和形成于该初期层(14)上、交替地层叠包含Al<sub>α</sub>Ga<sub>1-α</sub>N(0.5<α≤1)的第1层(15A1(15B1))以及包含Al<sub>β</sub>Ga<sub>1-β</sub>N(0<β≤0.5)的第2层(15A2(15B2))而成的超晶格层叠体(15)，前述第2层的Al组成比β越远离前述Si基板越逐渐增加。 | ||
| 申请公布号 | CN104885198A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201380069372.3 | 申请日期 | 2013.11.28 |
| 申请人 | 同和电子科技有限公司 | 发明人 | 生田哲也;柴田智彦 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种III族氮化物外延基板，其特征在于，具有：Si基板；与该Si基板连接的初期层；和形成于该初期层上、交替地层叠包含Al<sub>α</sub>Ga<sub>1‑α</sub>N(0.5<α≤1)的第1层以及包含Al<sub>β</sub>Ga<sub>1‑β</sub>N(0<β≤0.5)的第2层而成的超晶格层叠体，所述第2层的Al组成比β越远离所述Si基板越逐渐增加。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||