光刻抗反射层的离线监控方法

摘要

本发明提供光刻抗反射层气泡缺陷的离线监控方法，所述方法包括：提供形成有监控薄膜结构的监控用半导体衬底，所述监控薄膜结构的制作方法与用于被监控的半导体工艺流程的阻挡结构的制作方法一致；在所述监控薄膜上方依次形成光刻抗反射层和光刻胶层；进行光刻抗反射层刻蚀；进行阻挡结构的顶部刻蚀工艺，所述顶部刻蚀工艺与被监控的半导体工艺流程的顶部刻蚀工艺一致；对阻挡结构进行光学检测，通过阻挡结构缺陷分布情况判断光刻抗反射层的气泡缺陷情况。所述方法能够对光刻抗反射层的气泡缺陷进行离线监控，防止气泡缺陷对在线的半导体器件产生影响。

主权项

光刻抗反射层气泡缺陷的离线监控方法，用于对半导体工艺流程中光刻抗反射层的气泡缺陷进行监控，所述半导体工艺流程包括：阻挡结构的制作、光刻抗反射层的制作、光刻胶层的制作、光刻胶的刻蚀工艺，阻挡结构的顶部刻蚀工艺，其特征在于，包括：提供监控用半导体衬底，所述监控用半导体衬底上形成有监控薄膜结构，所述监控薄膜结构的制作方法与用于被监控的半导体工艺流程的阻挡结构的制作方法一致；在所述监控薄膜上方依次形成光刻抗反射层和光刻胶层，所述光刻抗反射层和光刻胶层的制作方法与被监控的半导体工艺流程的光刻抗反射层和光刻胶层的制作方法一致；进行光刻抗反射层刻蚀，所述光刻抗反射层刻蚀与被监控的半导体工艺流程的光刻抗反射层的刻蚀工艺一致；进行阻挡结构的顶部刻蚀工艺，所述顶部刻蚀工艺与被监控的半导体工艺流程的顶部刻蚀工艺一致；对阻挡结构进行光学检测，通过阻挡结构缺陷分布情况判断光刻抗反射层的气泡缺陷情况。