一种基于深亚微米CMOS工艺的横向MOM电容

摘要

本发明公开了一种基于深亚微米CMOS工艺的横向MOM电容。这种电容结构兼容于标准CMOS工艺，不需要额外的掩膜层支持，该电容可代替代工厂提供的MIM(Metal-Insulator-Metal)电容，从而避免了使用MIM电容时因增加的额外掩膜层CTM层密度不足造成芯片生产时良率降低的问题。这种电容由多层金属堆叠组成，金属层采用工艺允许的最小宽度，金属层间距采用工艺允许的最小距离，保证在最小的面积内获得最大的电容。

主权项

一种基于深亚微米CMOS工艺的横向MOM电容，该电容由多层金属堆叠而成，同一层金属采用工艺允许的最小宽度和最小间距，同层相邻的金属和层间介质构成横向电容C，同层金属中包含多个横向电容C，多层的多个横向电容C并联构成横向MOM电容，不同层金属两侧垂直相连的金属构成横向MOM电容的金属互联区，水平排布的横向电容C构成横向MOM电容的电容区，不同层金属在金属互联区通过金属VIA相连，不同层金属在电容区无连接。