发明名称 半导体器件格栅阵列封装
摘要 本发明涉及半导体器件格栅阵列封装。格栅阵列组件由其中嵌入有焊料沉积物的电绝缘材料形成。每个焊料沉积物的第一部分暴露在该绝缘材料的第一表面上并且每个焊料沉积物的第二部分暴露在该绝缘材料的相对表面上。半导体管芯安装到该绝缘材料的第一表面并且该半导体管芯的电极用接合线连接到该焊料沉积物。该管芯、接合线和该绝缘材料的第一表面进而覆盖有保护的密封材料。
申请公布号 CN104882386A 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201410137295.7 申请日期 2014.02.27
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 王志杰;白志刚;舒爱鹏;徐艳博;张虎昌;宗飞
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 郭思宇
主权项 一种装配半导体管芯格栅阵列封装的方法,该方法包括:提供由其中嵌入有焊料沉积物的电绝缘材料形成的格栅阵列组件,其中每个焊料沉积物的第一部分暴露在该绝缘材料的第一表面上并且每个焊料沉积物的第二部分暴露在该绝缘材料的相对表面上;将半导体管芯安装到该绝缘材料的第一表面;将该半导体管芯的电极电连接到该焊料沉积物;以及用密封材料覆盖该半导体管芯和该绝缘材料的第一表面。
地址 美国得克萨斯