具有垂直沟道的隧穿晶体管、可变电阻存储器及制造方法

摘要

一种隧穿晶体管，包括：半导体衬底，源极在半导体衬底上形成在上部区域中，并且半导体衬底具有第一半导体材料层；柱体，其形成在半导体衬底上，并且具有顺序层叠有沟道层和漏极的结构；栅极，其形成为包围柱体的周缘；以及第二半导体材料层，其构成源极的一部分、形成在源极和沟道层之间、具有与源极相同的导电类型、并且具有比第一半导体材料层更小的带隙。其中，源极和漏极具有相反的导电类型。

主权项

一种隧穿晶体管，包括：半导体衬底，其具有形成在上部区域中的源极，并且包括第一半导体材料层；柱体，其形成在所述半导体衬底上，并且具有顺序层叠的沟道层和漏极；栅极，其形成为包围所述柱体；以及第二半导体材料层，其形成在所述源极和所述沟道层之间，所述第二半导体材料层具有与所述源极相同的导电类型，并且具有比所述第一半导体材料层更低的带隙，其中，所述源极和所述漏极具有彼此相反的导电类型。