| 摘要 |
본 발명은 0.5-35 ppbw의 표면에서의 탄소의 농도를 갖는 청크 다결정 실리콘을 제공한다. 또한, 본 발명은 표면에 탄소 오염을 갖는 다결정 실리콘 청크를 세정하는 공정으로서, 350 내지 600℃의 온도에 있는 반응기에서 다결정 실리콘 청크의 열 처리를 포함하고, 다결정 실리콘 청크는 열 처리 동안 불활성 가스 분위기 중에 존재하며, 그리고 열 처리 후 다결정 실리콘 청크는 0.5-35 ppbw의 표면에서의 탄소 농도를 갖는 것인 공정을 제공한다. |
