发明名称 |
半导体器件的形成方法 |
摘要 |
一种半导体器件的形成方法,包括:提供衬底;在所述衬底表面形成栅极结构,及位于所述栅极结构两侧的侧墙;形成位于所述侧墙两侧衬底内的源区和漏区;去除部分侧墙,剩余在所述栅极结构两侧的侧墙为保留侧墙,所述保留侧墙的厚度范围为5nm~30nm;在衬底表面、栅极结构表面和保留侧墙表面沉积金属层;对所述金属层进行退火,在所述衬底内和栅极结构内形成金属硅化物。本发明降低金属硅化物的损失,改善利用金属硅化物减小栅极和源/漏区间电阻的效果,提高半导体器件的可靠性。 |
申请公布号 |
CN102856179B |
申请公布日期 |
2015.09.02 |
申请号 |
CN201110180767.3 |
申请日期 |
2011.06.29 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
徐伟中 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底表面形成栅极结构,及位于所述栅极结构两侧的侧墙,所述侧墙包括位于栅极结构表面的氧化硅层及位于所述氧化硅层表面的氮化硅层;形成位于所述侧墙两侧衬底内的源区和漏区;去除部分侧墙,剩余在所述栅极结构两侧的侧墙为保留侧墙,所述保留侧墙包括所述氧化硅层及位于氧化硅层表面的部分所述氮化硅层,所述保留侧墙的厚度范围为5nm~30nm;在衬底表面、栅极结构表面和保留侧墙表面沉积金属层;对所述金属层进行退火,在所述衬底内和栅极结构内形成金属硅化物。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |