| 发明名称 | 反应腔室以及化学气相沉积设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供的一种反应腔室以及化学气相沉积设备，反应腔室包括底座、第一壁、加热丝和第二壁，所述第一壁、所述加热丝和所述第二壁由内到外依次设置所述底座上，所述第一壁与所述底座之间形成封闭的容置空间，所述第二壁中间包括真空结构。本发明中，通过第二壁中的真空结构进行隔热，使得加热丝产生的热量均向第一壁传递，从而使得形成的容置空间内的温度更加均匀，从而经过反应的晶片上形成的薄膜的厚度均匀性更好。 | ||
| 申请公布号 | CN104878367A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201510309138.4 | 申请日期 | 2015.06.07 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 顾武强;潘琦 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 一种反应腔室，其特征在于，包括底座、第一壁、加热丝和第二壁，所述第一壁、所述加热丝和所述第二壁由内到外依次设置所述底座上，所述第一壁与所述底座之间形成容置空间，所述第二壁中间包括真空结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||