发明名称 |
低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷SrLi<sub>3</sub>Sm<sub>3</sub>W<sub>2</sub>O<sub>13</sub> |
摘要 |
本发明公开了一种低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷SrLi<sub>3</sub>Sm<sub>3</sub>W<sub>2</sub>O<sub>13</sub>及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的SrCO<sub>3</sub>、Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和WO<sub>3</sub>的原始粉末按SrLi<sub>3</sub>Sm<sub>3</sub>W<sub>2</sub>O<sub>13</sub>的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在720℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在770~820℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在820℃以下烧结良好,介电常数达到25.3~26.4,其品质因数Qf值高达91000-131000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。 |
申请公布号 |
CN104876571A |
申请公布日期 |
2015.09.02 |
申请号 |
CN201510265491.7 |
申请日期 |
2015.05.23 |
申请人 |
桂林理工大学 |
发明人 |
李纯纯;唐莹;王丹 |
分类号 |
C04B35/495(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/495(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷,其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为:SrLi<sub>3</sub>Sm<sub>3</sub>W<sub>2</sub>O<sub>13</sub>;所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为:(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的SrCO<sub>3</sub>、Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和WO<sub>3</sub>的原始粉末按SrLi<sub>3</sub>Sm<sub>3</sub>W<sub>2</sub>O<sub>13</sub>的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在720℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在770~820℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3%。 |
地址 |
541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号 |