发明名称 经由使用非易失性存储器来降低易失性存储器的功耗
摘要 一种方法包括在电子设备处发起从操作模式到睡眠模式的转变,该电子设备包括易失性存储器和非易失性存储器。响应于该发起,将数据从易失性存储器复制到非易失性存储器,且禁用易失性存储器的一部分。另一方法包括确定低性能模式条件在电子设备处得到满足,该电子设备包括存储只读数据的第一副本的易失性存储器和存储该只读数据的第二副本的非易失性存储器。将该只读数据的存储器映射从易失性存储器更新到非易失性存储器。易失性存储器的存储第一副本的一部分被禁用,且对该只读数据的存取被定向到非易失性存储器而不是易失性存储器。
申请公布号 CN104885034A 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201380066944.2 申请日期 2013.12.20
申请人 高通股份有限公司 发明人 A·塔哈;V·甘地;P·B·基迪
分类号 G06F1/32(2006.01)I 主分类号 G06F1/32(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 周敏
主权项 一种方法,包括:在电子设备处发起从操作模式到睡眠模式的转变,其中所述电子设备包括具有第一大小的易失性存储器设备和具有大于或等于所述第一大小的第二大小的非易失性存储器设备;响应于所述发起,将数据从所述易失性存储器设备复制到所述非易失性存储器设备;以及在所述睡眠模式期间禁用所述易失性存储器设备的一部分。
地址 美国加利福尼亚州
您可能感兴趣的专利