发明名称 |
具有锗或III-V族有源层的深环栅极半导体器件 |
摘要 |
描述了具有锗或III-V族有源层的深环栅极半导体器件。例如,非平面半导体器件包括设置在衬底上方的异质结构。所述异质结构包括位于具有不同组分的上部层与下部层之间的异质结。有源层设置在所述异质结构上方并且具有不同于所述异质结构的所述上部层和下部层的组分。栅极电极叠置体设置在所述有源层的沟道区上并且完全环绕所述有源层的所述沟道区,并且设置在所述上部层的沟槽中并且至少部分地在所述异质结构的所述下部层中。源极区和漏极区设置在所述栅极电极叠置体的任一侧上的所述有源层中和所述上部层中,但不在所述下部层中。 |
申请公布号 |
CN104885228A |
申请公布日期 |
2015.09.02 |
申请号 |
CN201480003664.1 |
申请日期 |
2014.01.09 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
R·皮拉里塞泰;W·拉赫马迪;V·H·勒;S·H·宋;J·S·卡治安;J·T·卡瓦列罗斯;H·W·田;G·杜威;M·拉多萨夫列维奇;B·舒金;N·慕克吉 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;王英 |
主权项 |
一种非平面半导体器件,包括:异质结构,所述异质结构设置在衬底上方,所述异质结构包括位于具有不同组分的上部层与下部层之间的异质结;有源层,所述有源层设置在所述异质结构上方并且具有不同于所述异质结构的所述上部层和下部层的组分;栅极电极叠置体,所述栅极电极叠置体设置在所述有源层的沟道区上并且完全环绕所述有源层的所述沟道区,并且所述栅极电极叠置体设置在所述上部层中的沟槽中并且至少部分地在所述异质结构的所述下部层中;以及源极区和漏极区,所述源极区和所述漏极区设置在所述栅极电极叠置体的任一侧上的所述有源层中和所述上部层中,但不在所述下部层中。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |