两次外延工艺中光刻对准标记的制作方法

摘要

本发明公开了一种两次外延工艺中光刻对准标记的制作方法，步骤包括：1)在衬底上形成零层标记，成长ONO膜；2)光刻，在ONO膜上刻开沟槽区域；3)刻蚀形成沟槽，进行第一次选择性外延填充，在没有氧化膜覆盖区域生长外延，进行化学机械研磨；4)用光阻定义零层标记区域，通过刻蚀除去其它区域的ONO膜；5)第二次厚外延生长；6)通过光刻定义和厚外延刻蚀，将零层标记区域完全打开。本发明通过利用刻蚀阻挡层在第二次外延之后通过刻蚀外延层打开零层标记区域，使得后续层次的对准完全不受外延工艺的影响，从而保证了后续层次的对准精度。

主权项

两次外延工艺中光刻对准标记的制作方法，其特征在于，步骤包括：1)在衬底上形成零层标记，成长氧化硅‑氮化硅‑氧化硅膜；2)光刻，在氧化硅‑氮化硅‑氧化硅膜上刻开沟槽区域；3)刻蚀形成沟槽，进行第一次选择性外延填充，在没有氧化硅膜覆盖的区域生长外延，然后进行化学机械研磨；4)用光阻定义零层标记区域，通过刻蚀除去其它区域的氧化硅‑氮化硅‑氧化硅膜；5)进行第二次外延生长；6)通过光刻定义和外延刻蚀，将零层标记区域完全打开。